XDR 2 RAM Tercepat Di Dunia
Rambus XDR dan XDR2
Hingga saat ini Rambus masih memproduksi DRAM seri XDR dan XDR2 DRAM. Kedua seri DRAM Rambus ini memiliki performa yang mengagumkan dari segi memory bandwidth. Rambus XDR DRAM saja mampu memberikan bandiwdth hingga 25,6GB/s – bahkan diatas ‘world record’ memory bandwidth Dominator GT DDR3 2533Mhz (overclocked) yang ‘hanya’ berkisar 20GB/s.
Sementara Rambus XDR2 di-klaim memiliki memory bandwidth (per device) dua kali lebih besar dengan daya 30% lebih rendah dibandingkan sistem yang menggunakan GDDR5. Memory bandwidth XDR2 sendiri mencapai 38,4GB/s dengan rencana hingga 50GB/s dalam roadmap
Rambus.
Integrated Memory Controller
Beberapa feature unggulan arsitektur memori seri XDR antara lain XMC logical memory controller (integrated) yang didukung oleh Dynamic Point-to-Point signal integrity.
Feature ini berguna dalam hal peningkatan kapasitas memori di kemudian hari tanpa harus mengorbankan performa. Teknologi FlexPhase memberikan data rates lebih tinggi dibanding teknologi strobing yang digunakan pada DDR3.
NearGround Signaling mampu mengurangi daya yang digunakan I/O pada performa maksimal, memungkinkan voltase operasi yang minim sebesar 0.5v dengan signal integrity yang stabil. Module threading memberikan peningkatan efisiensi memori dan mengurangi DRAM core power yang dengan kombinasi Near Ground Signaling dan FlexClocking mampu mengurangi konsumi daya memori dan sistem hingga 40%.
Menarik untuk disimak apakah Intel tertarik untuk menggunakan teknologi arsitektur memori seri XDR untuk mendukung seri Core Intel yang saat ini memiliki integrated memory controller (IMC) on-die.
http://technonews-revy.blogspot.com/2011/06/xdr-2-ram-tercepat-di-dunia.html
MRAM Memori Terbaru Berkecepatan 10 kali RAM
Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.
Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.
Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.
IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. KEcepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.
Dikutip dari :shirogadget
Samsung telah Mengembangkan Memori DDR4 yang Lebih Hemat Daya 40%
Samsung Electronics telah mengumumkan bahwa mereka telah menyelesaikan pengembangan modul DRAM DDR4 pertama di dunia industri elektronik bulan lalu. Pengembangan ini menggunakan teknologi proses kelas 30nm, dan menyediakan unbuffered modul memori dual in-line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 ke pembuat controller untuk pengujian.
Modul DRAM DDR4 baru ini dapat mencapai kecepatan transfer data 2.133Gbps di 1.2V, lebih hemat daya dan lebih cepat bila dibandingkan dengan 1.35V dan 1.5V DRAM DDR3 pada teknologi proses 30nm yang setara , dengan kecepatan hingga 1.6Gbps.
Dalam notebook, modul DDR4 akan mengurangi konsumsi daya sebesar 40 persen dibandingkan dengan modul DDR3 1.5V.
Modul ini menggunakan Pseudo Terbuka Drain (POD) teknologi, yang memungkinkan DRAM DDR4 untuk mengkonsumsi hanya setengah arus listrik dari DDR3 saat membaca dan menulis data. Dengan menggunakan arsitektur sirkuit baru, DDR4 Samsung akan dapat dijalankan pada sampai 3.2Gbps, dibandingkan dengan kecepatan khas hari ini dari 1.6Gbps untuk DDR3 dan 800Mbps untuk DDR2.
Samsung kini berencana untuk bekerja sama dengan sejumlah pembuat server untuk membantu memastikan penyelesaian standarisasi JEDEC teknologi DDR4 pada semester kedua tahun ini. Samsung mengembangkan DRAM DDR pertama di industri tahun 1997, DRAM DDR2 pertama di tahun 2001, dan DRAM DDR3 pertama yang menggunakan teknologi kelas 80nm pada tahun 2005. (sumber)
FeTRAM Teknologi RAM Baru Hemat Daya Kombinasi Polimer & Nanowire Silikon
Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.
FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran.
0 komentar:
Posting Komentar